视频: Advanced RF Silicon-on-Insulator Capabilities for 5G Front-End Modules 2024
晶体管比电阻,电容,电感和二极管更复杂。而这些电子元件只有少数规格可供选择,例如电阻的欧姆数和功耗的最大瓦数,晶体管有一大堆的规格。
通过在互联网上查看 数据表 ,您可以找到任何晶体管的完整规格;只需将部件号插入您最喜爱的搜索引擎。数据手册给你几十个关于你感兴趣的晶体管的有趣事实,只有火箭科学家可能喜欢的图表和图形。
<!如果你碰巧是一名火箭科学家,并且正在考虑在导弹中使用晶体管,请务必注意数据表中的每一个细节。但是,如果您只是想做一点点的电路设计,则只需要注意最重要的规格,特别是:电流增益(H
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FE ) : 这是晶体管放大能力的量度。它是指基极电流与集电极电流之比。典型值范围从50到200.数字越高,晶体管能够放大输入信号越多。 <! - 2 - >
集电极发射极电压(V -
CEO ): 集电极和发射极之间的最大电压。这通常是30伏或更高,这远高于大多数业余爱好电路中的电压水平。 发射极基极电压(V
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EBO ): 发射极和基极之间的最大电压。这通常是一个相对较小的数字,例如6 V.大多数电路设计为仅向基极施加小电压,所以这个限制通常不被考虑。
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CBO ): 集电极和基极之间的最大电压。这通常是50 V或更多。 集电极电流(I
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C ): 可流过集电极 - 发射极路径的最大电流。大多数电路使用电阻来限制电流的流动。必须使用欧姆定律来计算电阻器的值,以使集电极电流保持在极限以下。如果长时间超过此限制,晶体管可能会损坏。 总功耗(P
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D ): 这是设备可以消耗的总功率。对于大多数小型晶体管,额定功率大约为几百毫瓦(mW)。 只有在设计自己的电路时,才需要担心这些规格。如果您正在构建一本书或互联网上找到的电路,您只需要知道电路原理图中指定的晶体管部件号。